由于R&S
®AMU200A 采用了模塊化設(shè)計(jì)，因而可根據(jù)使用需要靈活組合，極為方便。R&S
®AMU200A 內(nèi)置兩個(gè)基帶信號(hào)發(fā)生器，能夠?qū)崟r(shí)生成復(fù)雜信號(hào)，并且具有任意波形產(chǎn)生功能，I 和 Q 的存儲(chǔ)深度為 16 Msample、64 Msample 或128 Msample，每個(gè)采樣點(diǎn)是四個(gè)標(biāo)記數(shù)位。兩個(gè)獨(dú)立生成的基帶信號(hào)可以在儀器內(nèi)部進(jìn)行相加，甚至可以設(shè)置頻率、相位和電平的偏置后相加。R&S
®AMU200A 的設(shè)計(jì)采用直觀的框圖式操作界面，操作既快捷又方便。
MIMO衰落
R&S®AMU200A 配有兩個(gè)獨(dú)立的基帶信號(hào)發(fā)生器，能同時(shí)模擬四個(gè)衰落信道，因而可完成較高要求的 MIMO測(cè)試，只需一臺(tái)儀器就能輕松地完成 2 x 2 MIMO 的衰落測(cè)試。通過多臺(tái)儀器組合，可以實(shí)現(xiàn) 1×3, 1×4, 2×3, 3×1, 4×1和4×2 MIMO測(cè)試。在這些測(cè)試場(chǎng)景中，AMU200A適合基帶測(cè)試。
產(chǎn)品特性
可擴(kuò)展平臺(tái)
• 提供兩條完整的基帶路徑
• 儀器配置分為衰落模擬器、I/Q 信號(hào)源，或者合二為一同時(shí)提供衰落模擬和基帶信號(hào)生成功能
• 基帶發(fā)生器配備通用編碼器，可實(shí)時(shí)生成信號(hào)
• 任意波形發(fā)生器的存儲(chǔ)深度分為 16 Msample、64 Msample，或 128 Msample
• 模擬單端信號(hào)、模擬差分信號(hào)和數(shù)字基帶信號(hào)輸出
• 提供兩路基帶輸入功能（模擬/數(shù)字）
• 采用數(shù)字信號(hào)的話，*多可組合四個(gè)基帶信號(hào)（可用于測(cè)試多模基站）
信號(hào)質(zhì)量高
• 40 MHz I/Q 帶寬，頻率響應(yīng)的典型值 0.03 dB
• 出色的 ACLR 性能，3GPP FDD 信號(hào)的典型值為 +78 dB（測(cè)試模型 1, 64 DPCH)
• 寬帶噪聲典型值為 –155 dBc
• 很低的儀器固有EVM
無可比擬的靈活性
• 支持眾多數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)，其中包括 GSM/EDGE、3GPP FDD、HSPA、CDMA2000®、TD-SCDMA、 WLAN、WiMAX,DVB-H、GPS、EUTRA/LTE
• 四個(gè) 3GPP FDD 實(shí)時(shí)編碼信道
• 支持 GSM/EDGE 各時(shí)隙間的調(diào)制方式轉(zhuǎn)換
• 采用多段波形模式，可在不同信號(hào)之間實(shí)現(xiàn)快速切換
• 任意波形發(fā)生器由 R&S® WinIQSIM2TM 模擬軟件提供支持
• 利用脈沖序列發(fā)生器選件可產(chǎn)生脈沖信號(hào)
• 可以利用MATLAB® 生成信號(hào)并通過AMU200A輸出
• 標(biāo)準(zhǔn)配置下帶有內(nèi)部 40 Gbyte 硬盤，可存儲(chǔ)波形和調(diào)制數(shù)據(jù)
衰減和干擾模擬
• 雙通道實(shí)時(shí)衰落模擬器
• 每個(gè)通道可模擬20條衰落路徑
• 時(shí)間分辨率低至 0.01 ns
• 提供靜態(tài)和動(dòng)態(tài)衰落場(chǎng)景模式
• 提供加性噪聲模擬功能
• 尤其適合進(jìn)行分集測(cè)試
直觀的操作界面
• 800 × 600 像素（SVGA 格式）彩色顯示屏
• 直觀的用戶操作界面和信號(hào)流圖顯示（框圖式界面）
• 通過內(nèi)置瞬態(tài)記錄儀以圖形方式顯示基帶信號(hào)
• 上下文相關(guān)聯(lián)的幫助系統(tǒng)
接口
• 通過 GPIB 和 LAN 接口實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程控制
• 配備鍵盤、鼠標(biāo)、U盤用 USB 連接器
• VGA 接口
• 可進(jìn)行用戶自定義的觸發(fā)和標(biāo)記信號(hào)接口
